Комплект модулей оперативной памяти.

Объем: 2 модуля по 1024 Мб. Тип памяти: DDR2, поддержка ECC, буферизованная (Registered, Fully Buffered).

Форм-фактор: FB-DIMM 240-контактный. Количество чипов каждого модуля: 18, двусторонняя упаковка.

Тактовая частота: 533 МГц. Пропускная способность: 4200 Мб/с.

Тайминги: CAS Latency (CL) - 4, RAS to CAS Delay (tRCD) - 4, Row Precharge Delay (tRP) - 4, Activate to Precharge Delay (tRAS) - 12.

Количество ранков: 2.

Напряжение питания: 1.8 В.

Комплектация: retail. Радиатор.

Память KINGSTON KVR533D2D8F4K2/2G снабжена микросхемой AMB (Advanced Memory Buffer), которая увеличивает скорость буферизации всех сигналов - синхронизации, адреса, команд и данных в направлении устройства DRAM и обратно.

Значения приведенных характеристик могут быть изменены производителем без уведомления. Вы можете уточнить характеристики на сайте производителя оборудования. Магазин не несет ответственности за несоответствие указанных здесь характеристик реальным.